ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ

sales@sibranch.com

WhatsApp

+8618858061329

Υπόστρωμα Αρσενιδίου Γάλλιο

Υπόστρωμα Αρσενιδίου Γάλλιο

Ένα από τα κύρια οφέλη του υποστρώματος αρσενιδίου του γαλλίου είναι η υψηλή κινητικότητα των ηλεκτρονίων του. Έχει μεγαλύτερη κινητικότητα ηλεκτρονίων σε σύγκριση με άλλα υλικά ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, γεγονός που το καθιστά ιδανικό για συσκευές υψηλής ταχύτητας και χαμηλού θορύβου.
Αποστολή ερώτησής
Chat τώρα
Περιγραφή
Τεχνικές παράμετροι
περιγραφή προϊόντος

 

Ένα από τα κύρια οφέλη του υποστρώματος αρσενιδίου του γαλλίου είναι η υψηλή κινητικότητα των ηλεκτρονίων του. Έχει μεγαλύτερη κινητικότητα ηλεκτρονίων σε σύγκριση με άλλα υλικά ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, γεγονός που το καθιστά ιδανικό για συσκευές υψηλής ταχύτητας και χαμηλού θορύβου. Επιπλέον, έχει ένα άμεσο διάκενο ζώνης που του επιτρέπει να παράγει αποτελεσματικές διόδους εκπομπής φωτός που εκπέμπουν στις ορατές και υπέρυθρες περιοχές.

 

Ένα άλλο πλεονέκτημα αυτού του υποστρώματος είναι η υψηλή θερμική του αγωγιμότητα, η οποία βοηθά στη γρήγορη απαγωγή της θερμότητας. Αυτή η δυνατότητα είναι ιδιαίτερα χρήσιμη σε εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος όπου η απαγωγή θερμότητας είναι κρίσιμη. Το υπόστρωμα αρσενιδίου του γαλλίου έχει επίσης υψηλή τάση διάσπασης, η οποία εξασφαλίζει την αξιοπιστία του ακόμη και σε συνθήκες υψηλής τάσης.

 

Τυπικές διαστάσεις και ανοχές για γκοφρέτα GaAs διαμέτρου 150 mm

Ιδιοκτησία

Διάσταση

Ανοχή

Μονάδες

Διάμετρος

150

+/-0.5

χιλ.

Πάχος, Κεντρικό Σημείο

     

Επιλογή Α

675

+/-25

μm

Επιλογή Β

550

+/-25

μm

Προσανατολισμός εγκοπής

[010]

+/-2

βαθμούς

Βάθος εγκοπής

1

+0.25/-0.0

mm

       

Τυπικές διαστάσεις και ανοχές για γκοφρέτα GaAs διαμέτρου 100 mm

Ιδιοκτησία

Διάσταση

Ανοχή

Μονάδες

Διάμετρος

100

+/-0.5

mm

Πάχος, Κεντρικό Σημείο

675

+/-25

μm

Πρωτεύον Επίπεδο Μήκος

18

+/-2

χιλ.

Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος

18

+/-2

χιλ.

US/SEMI και E/J-Flat-Option διαθέσιμα

     
       

Τυπικές διαστάσεις και ανοχές για γκοφρέτα GaAs διαμέτρου 200 mm

Ιδιοκτησία

Διάσταση

Ανοχή

Μονάδες

Διάμετρος

200

+/-0.5

mm

Πάχος, Κεντρικό Σημείο

625

+/-25

μm

Προσανατολισμός εγκοπής

[010]

+/-2

βαθμούς

Βάθος εγκοπής

1

+0.25/-0.0

χιλ.

       

Τυπικές διαστάσεις και ανοχές για γκοφρέτα GaAs διαμέτρου 3 ιντσών

Ιδιοκτησία

Διάσταση

Ανοχή

Μονάδες

Διάμετρος

76.2

+/-0.5

χιλ.

Πάχος, Κεντρικό Σημείο

625

+/-25

μm

Πρωτεύον Επίπεδο Μήκος

22

+/-2

χιλ.

Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος

11

+/-2

χιλ.

US/SEMI και E/J-Flat-Option διαθέσιμα

     

 

Εικόνα προϊόντος

4 11

4

Γιατί να μας επιλέξετε

 

Τα προϊόντα μας προέρχονται αποκλειστικά από τους πέντε κορυφαίους κατασκευαστές του κόσμου και κορυφαία εγχώρια εργοστάσια. Υποστηρίζεται από υψηλά καταρτισμένες εγχώριες και διεθνείς τεχνικές ομάδες και αυστηρά μέτρα ποιοτικού ελέγχου.

Στόχος μας είναι να παρέχουμε στους πελάτες ολοκληρωμένη ατομική υποστήριξη, διασφαλίζοντας ομαλά κανάλια επικοινωνίας που είναι επαγγελματικά, έγκαιρα και αποτελεσματικά. Προσφέρουμε χαμηλή ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας και εγγυόμαστε γρήγορη παράδοση εντός 24 ωρών.

 

Εργοστάσιο Εμφάνιση

 

Το τεράστιο απόθεμά μας αποτελείται από 1000+ προϊόντα, τα οποία διασφαλίζουν ότι οι πελάτες μπορούν να κάνουν παραγγελίες μόνο για ένα τεμάχιο. Ο ιδιόκτητος εξοπλισμός μας για κοπή και λείανση σε κύβους και η πλήρης συνεργασία στην παγκόσμια βιομηχανική αλυσίδα μας επιτρέπουν την έγκαιρη αποστολή για να διασφαλίσουμε την ικανοποίηση και την άνεση των πελατών μας.

01
02
03

 

Το Πιστοποιητικό μας

 

Η εταιρεία μας υπερηφανεύεται για τις διάφορες πιστοποιήσεις που έχουμε κερδίσει, συμπεριλαμβανομένου του πιστοποιητικού πατέντας, του πιστοποιητικού ISO9001 και του πιστοποιητικού National High-Tech Enterprise. Αυτές οι πιστοποιήσεις αντιπροσωπεύουν την αφοσίωσή μας στην καινοτομία, τη διαχείριση ποιότητας και τη δέσμευσή μας για αριστεία.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Δημοφιλείς Ετικέτες: υπόστρωμα αρσενιδίου γαλλίου, Κίνα κατασκευαστές υποστρώματος αρσενιδίου γαλλίου, προμηθευτές, εργοστάσιο